关于为什么pmos管电流比较小的信息-同音共律网

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1、防止MOS管的关于管电源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，流比为反向感生电压提供通路，关于管电避免反向感生电压击穿MOS管。流比

2、关于管电并联到线路上进行无功补偿的流比电容器对谐波会有放大作用，使得系统电压及电流的关于管电畸变更加严重。另外，谐波电流叠加在电容器的基波电流上，会使电容器的电流有效值增加，造成温度升高，减少电容器的使用寿命。

3、电感镇流器体积大而重另外一点是由于电感镇流器包过电感镇流器和触发器2部分，触发器有电容构成，这些决定了它的体积做不小。而电子镇流器触发电路集成在机器里面，而且电路简单器件很小，所以整体体积小。

关于为什么pmos管电流比较小的信息

1、输出电压和线圈的谐振频率有关，开关电源工作频率高出线圈谐振频率范围导致输出电压下降，同时损耗加大，反映出来的就是待机电流增加。

2、开关频率越高，开关管的开关速度就越快，因此开关损失也会更小。此外，高开关频率还可以减小开关器件的尺寸和重量，从而提高电源的功率密度和效率。

3、变频器频率越低，电流越大；频率越大，电流越小。这样理解不对。电流的大小和所带的负载有关系，电压乘以电流等于功率。频率和电流没有直接的关系。

4、mos驱动需要的电压，而建立电压需要电流，建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高，分布参数大，则计算驱动电流误差较大，还是应该结合实际实验数据分析计算。

5、电阻异常。mos管实际使用电流很小是电阻异常造成的。电阻（Resistance，通常用“R”表示），是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。

1、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

2、例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右。

3、不同的器件导通电压不同，一般高压器件在7-10V之间，低压器件3-6V之间，低内阻器件还会更低。

4、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。

5、这种NMOS管的阈值电压实际上是负的。这样的晶体管称为耗尽型NMOS。电介质电介质在决定阈值电压方面起了重要性作用。厚电介质由于比较厚而削弱了电场。所以厚电介质使阈值电压升高，而薄电介质使阈值电压降低。

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作者:综合